MOSFET Serie mit aktiver Spannungsbegrenzung zur Relais-Ansteuerung von Toshiba

2018-06-07
Kleine Abmessungen, niedriger Durchlasswiderstand und Qualifizierung gemäß AEC-Q101

Toshiba Electronics Europe hat die Einführung einer neuen MOSFET Serie angekündigt, in der eine aktive Spannungsbegrenzung mit Hilfe einer zwischen Drain und Gate integrierten Diode realisiert wird. Da sie die Anforderung, eine minimale Anzahl externer Komponenten zu verwenden, unterstützen sind die Einzel- (SSM3K357R) und Dual-MOSFET-Variante (SSM6N357R) für die Ansteuerung induktiver Lasten wie mechanischer Relais oder einzelner Spulen bestens geeignet.

Die neue 357 Serie schützt Treiber vor möglichen Schäden durch Überspannung auf Grund von Gegen-EMK der induktiven Last. Durch die Integration eines Pull-Down- und eines Vor-widerstandes sowie einer Zener-Diode werden weniger externe Teile benötigt wodurch der Platzbedarf auf der Platine reduziert wird.

Die Bausteine widerstehen einer maximalen Drain-Source-Spannung (VDSS) von 60 V und einem maximalen Drain-Strom (ID) von 0,65 A. Der niedrige Durchlasswiderstand (RDS(ON)) von 800mΩ bei VGS=5,0 V stellt den effizienten Betrieb mit minimaler Wärmeerzeugung sicher.

Der Einzel-MOSFET SSM3K357R ist in einem Gehäuse der SOT-23F-Klasse (2,9 x 2,4 x 0,8mm) untergebracht und ist für die Ansteuerung von Relais und Spulen aufgrund der niedrigen Betriebsspannung von 3,0 V sehr geeignet. Da der Baustein gemäß AEC-Q101 qualifiziert ist, ist er sowohl für Anwendungen in der Automobilindustrie als auch in anderen industriellen Bereichen geeignet.

Der Dual-MOSFET SSM6N357R ist in einem Gehäuse der TSOP6F-Klasse (2,9 x 2,8 x 0.8mm) untergebracht und benötigt so 42% weniger Fläche auf einer Platine im Vergleich zu zwei der Einzel-MOSFET.

Der SSM3K357R und der SSM6N357R befinden sich in der Massenproduktion.



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