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Infineon News

Die neuen EiceDRIVER 2EDN-Gate-Treiber-ICs setzen neue Maßstäbe hinsichtlich Formfaktor, UVLO-Reaktion und aktiver Ausgangsklemmung

Die Infineon Technologies AG bringt eine neue EiceDRIVER 2EDN-Produktfamilie auf den Markt. Ausgerichtet auf platzbegrenzte Designs, ergänzen die Bauteile der nächsten Generation die bestehenden 2EDN-Treiber-ICs.

Die neuen EiceDRIVER™ 2EDN-Gate-Treiber-ICs setzen neue Maßstäbe hinsichtlich Formfaktor, UVLO-Reaktion und aktiver Ausgangsklemmung
Die neue EiceDRIVER 2EDN-Familie von Infineon umfasst robuste zweikanalige Low-Side 4 A/5 A Gate-Treiber-ICs. Sie richtet sich nicht nur an schnelle Leistungs-MOSFETs, sondern auch an Wide Bandgap (WBG)-Schalter. Die Gate-Treiber ermöglichen es den Entwicklern, die Anforderungen ihres Designs bei vielen verschiedenen Gehäusegrößen zu erfüllen sowie eine sichere Abschaltung vor der Unterspannungsabschaltung (Under-Voltage Lock-Out; UVLO )und eine schnellere UVLO-Reaktion für einen robusten Betrieb und Störfestigkeit zu erreichen.

Dabei bieten sie eine höhere Effizienz auf Systemebene, eine ausgezeichnete Leistungsdichte und eine konsistente Systemrobustheit mit weniger externen Komponenten.

Mit dieser Erweiterung ist die 2EDN-Familie nun in der Lage, die Leistungsschaltung zu verbessern in Anwendungen wie Servern, Telekommunikation, DC-DC-Wandlern, industriellen Stromversorgungen, Ladestationen für Elektrofahrzeuge, Motorsteuerungen, Elektrofahrzeugen mit geringer Geschwindigkeit, Akku-Werkzeuge, LED-Beleuchtung und Solarenergiesystemen.


Die neuen EiceDRIVER™ 2EDN-Gate-Treiber-ICs setzen neue Maßstäbe hinsichtlich Formfaktor, UVLO-Reaktion und aktiver Ausgangsklemmung

Die neue EiceDRIVER 2EDN-Familie umfasst robuste zweikanalige Low-Side 4 A/5 A Gate-Treiber-ICs. Sie richtet sich nicht nur an schnelle Leistungs-MOSFETs, sondern auch an Wide Bandgap (WBG)-Schalter. Die Gate-Treiber ermöglichen es den Entwicklern, die Anforderungen ihres Designs bei vielen verschiedenen Gehäusegrößen zu erfüllen sowie eine sichere Abschaltung vor der Unterspannungsabschaltung (Under-Voltage Lock-Out; UVLO )und eine schnellere UVLO-Reaktion für einen robusten Betrieb und Störfestigkeit zu erreichen.


Die neuen EiceDRIVER™ 2EDN-Gate-Treiber-ICs setzen neue Maßstäbe hinsichtlich Formfaktor, UVLO-Reaktion und aktiver Ausgangsklemmung

Die vierzehn neuen Bauteile sind in verschiedenen Gehäusen erhältlich. Neben den bekannten 8-poligen DSO-, TSSOP- und WSON-Gehäusen, die Kompatibilität und Drop-in-Austausch ermöglichen, bietet Infineon außerdem die weltweit kleinsten 6-poligen SOT23-Gehäuse (2,8 x 2,9 mm 2) und TSNP-Gehäuse (1,1 x 1,5 mm 2) an. Bei den SOT23- und TSNP-Gehäusen entfällt das Freigabesignal (EN), das ohnehin oftmals nicht verwendet wird. Auf diese Weise bieten die Bauteile ein perfektes Gleichgewicht für Designs mit begrenztem Einbauraum, was zu einer höheren Leistungsdichte und einer höheren Robustheit gegenüber Temperaturschwankungen auf dem Board (TCoB) führt.

Entwickler können zwischen 4-V- und 8-V-UVLO wählen, um einen sofortigen Schutz des Leistungsschalters unter abnormalen Bedingungen zu erreichen. Insbesondere bieten die neuen Produkte eine bessere UVLO-Filterzeit, ein schnelleres Aufwachen aus dem UVLO-Aus-Zustand und eine mehr als zweifach schnellere UVLO-Reaktion aus dem Start- und Burst-Modus. Darüber hinaus verfügen sie über hochpräzise, genaue Rail-to-Rail-Ausgänge und eine schnelle aktive Ausgangsklemmung bei V DD = 1,2 V, die typischerweise in nur 20 ns erfolgt und für zusätzliche Robustheit sorgt.

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